TK55S10N1,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
Deutsch
Artikelnummer: | TK55S10N1,LQ |
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Hersteller / Marke: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 55A DPAK |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $2.97 |
10+ | $2.666 |
100+ | $2.1426 |
500+ | $1.7603 |
1000+ | $1.4586 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 500µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | DPAK+ |
Serie | U-MOSVIII-H |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 27.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 157W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3280 pF @ 10 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 55A (Ta) |
Grundproduktnummer | TK55S10 |
TK55S10N1,LQ Einzelheiten PDF [English] | TK55S10N1,LQ PDF - EN.pdf |
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Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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